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学術論文

J36. M. Ugajin, Y. Kakei, N. Itoh, “A study of phase-adjusting architectures for low-phase-noise quadrature voltage-controlled oscillators,” Accepted on IEICE Transaction on Electronics, Vol.E106-C, No.2, pp.-, Feb. 2023.

J35. K. Miyazaki, K. Komoku and N. Itoh, “920 MHz Current-Reuse Low-Power LNA Operated in Moderate Inversion Region,” IEICE Electronics Express, Vol.19, No.7, 1–6, April 2022.

J34. M. Ugajin, Y. Kakei, N. Itoh, “A quadrature voltage-controlled oscillator using phase-adjusting architecture for suppressing phase noise,” IEICE Electronics Express, Vol. 18, No.10, 1-3, May 2021.

J33. Y. Sawayama, T. Morishita, K. Komoku, N. Itoh, "Study of Dual-Band Concurrent LNA Equipping Mutual Inductive Notch Filter Matching Circuit," IEICE Electronics Express, Vol. 18, No.5, 1-5, March 2021.

J32. 澤山唯人，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，“二帯域同時受信LNAにおける入出力整合回路の最適構成の検討，” 電子情報通信学会論文誌C，Vol.J104-C，No.4，pp.71-81，Apr. 2021.

Y. Sawayama, T. Morishita, K. Komoku, and N. Itoh, “A Study on Optimal Configuration of Input/Output Matching Circuit in Dual-Band Concurrent LNA” IEICE Trans. Electronics, vol. J104-C, No.04, pp.71-81，Apr. 2021, DOI:10.14923/transelej.2020PJP0002.

J31. 坂本裕太，小椋清孝，森下賢幸，伊藤信之，”3次元ストライプドインダクタの最適化による低位相雑音電圧制御発振器の検討，” 電子情報通信学会論文誌C，Vol.J103-C，No.1，pp.41-44，Jan. 2020.

Y. Sakamoto, K. Komoku, T. Morishita, and N. Itoh, “Study of Low-Phase-Noise Voltage-Controlled Oscillator by Optimizing Metal Structure of 3D-Striped Inductor,” IEICE Transaction on Electronics, Vol.J103- C，No.1，pp.41-44，Jan. 2020.

J30. 北野大志，小椋清孝，森下賢幸，伊藤信之，”入出力に二帯域整合回路を備えた同時受信低雑音増幅器に関する検討” 電子情報通信学会論文誌C，Vol.J101-C，No.12，pp.461-470，Dec. 2018.

T. Kitano, K. Komoku, T. Morishita and N. Itoh, “Study of Concurrent Low Noise Amplifier Utilizing Dual-Band Input/Output Matching Networks,” IEICE Transaction on Electronics, Vol.J101-C, No.12, pp.461-470, Dec. 2018.

J29. Y. Itano, T. Kitano, Y. Sakamoto, K. Komoku, T. Morishita, N. Itoh, “Modeling and Layout Optimization of MOM Capacitor for High-Frequency Applications,” IEICE Transaction on Fundamentals, Vol.E101-A, No.2, pp. 441 - 446, Feb. 2018.

J28. 小川巧馬，森下賢幸，小椋清孝，板野由佳，吉富貞幸，伊藤信之，“電流再利用同時受信増幅器の研究” 電子情報通信学会論文誌A，Vol.J99-A, No.8, pp.328-331, Aug. 2016.

T. Ogawa, T. Morishita, K. Komoku, Y. Itano, S. Yoshitomi, and N. Itoh, “A Study of Current-Reuse Concurrent Receiver Amplifier,” IEICE Transaction on Fundamentals, Vol.J99-A, No.8, pp.328-331, Aug. 2016.

J27. N. Itoh, H. Tsuji, Y. Itano, T. Morishita, K. Komoku, and S. Yoshitomi, “A Study of Striped Inductor for K- and Ka-band Voltage-controlled Oscillators,” IEICE Transaction on Electronics, Vol.E99-C, No.6, pp.614-622, Jun. 2016, DOI: 10.1587/transele.E99.C.614.

J26. Y. Itano, S. Morimoto, S. Yoshitomi, and N. Itoh, "High-Q MOS Varactor Models for Quasi-Millimeter-Wave Low-Noise LC-VCOs," IEICE Transaction on Fundamentals, vol. E97-A, No.3, pp. 759-767, Mar. 2014, DOI: 10.1587/transfun.E97.A.759.

J25. Q. Liu, J. Sun, Y-J. Suh, N. Itoh, and T. Yoshimasu, "A CMOS Class-G Supply Modulation for Polar Power Amplifiers with High Average Efficiency and Low Ripple Noise," IEICE Transaction on Fundamentals, vol. E95-A, No.1, pp. 487-497, Feb. 2012, DOI: 10.1587/transfun.E95.A.487.

J24. Y. Feng, G. Takemura, S. Kawaguchi, N. Itoh, and P. R. Kinget, "Digitally Assisted IIP2 Calibration for CMOS Direct-Conversion Receivers," IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 46, pp. 2253-2267, No. 10, Oct. 2011, DOI: 10.1109/JSSC.2011.2161213.

J23. Y. Takamatsu, R. Fujimoto, T. Sekine, T. Yasuda, M. Nakamura, T. Hirakawa, M. Ishii, M. Hayashi, H. Ito, Y. Wada, T. Imayama, T. Oomoto, Y. Ogasawara, M. Nishikawa, Y. Yoshida, K. Yoshioka, S. Saigusa, H. Yoshida, and N. Itoh, "A Single-Chip RF Tuner / OFDM Demodulator for Mobile Digital TV Application," IEICE Transaction on Electronics, vol. E94-C, No.4, pp. 557-566, Apr. 2011, DOI: 10.1587/transele.E94.C557.

J22. Q. Liu, Y. Takigawa, S. Kurachi, N. Itoh and T. Yoshimasu, "A 1.2-3.2 GHz CMOS VCO IC Utilizing Transformer-Based Variable Inductors and AMOS Varactors, " IEICE Transaction on Fundamentals, vol. E94-A, No.2, pp. 568-573, Feb. 2011, DOI: 10.1587/transfun.E94.A.568.

J21. J. Deguchi, D. Miyashita, Y. Ogasawara, G. Takemura, M. Iwanaga, K. Sami, R. Ito, J. Wadatsumi, Y. Tsuda, S. Oda, S. Kawaguchi, N. Itoh, M. Hamada, "A Fully Integrated 2X1 Dual-Band Direct-Conversion Mobile WiMAX Transceiver With Dual-Mode Fractional Divider and Noise-Shaping Transimpedance Amplifer in 65 nm CMOS," IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 45, pp. 2774-2784, No. 12, Dec. 2010, DOI: 10.1109/JSSC.2010.2075295 .

J20. K. Agawa, S. Ishizuka, H. Majima, H. Kobayashi, M. Koizumi, T. Nagano, M. Arai, Y. Shimizu, A. Maki, G. Urakawa, T. Terada, N. Itoh, M. Hamada, F. Fujii, T. Kato, S. Yoshitomi, and N. Otsuka, "A 0.13 um CMOS Bluetooth EDR Transceiver with High Sensitivity over Wide Temperature Range and Immunity to Process Variation," IEICE Transaction on Electronics, vol. E93-C, No.6, pp. 803-811, Jun. 2010, DOI: 10.1587/transele.E93.C803.

J19. H. Yoshida, T. Toyoda, H. Tsurumi, and N. Itoh, "A Single-Chip 8-Band CMOS Transceiver for 3G Cellular Systems with Digital Interface," IEICE Transaction on Fundamentals, Vol. E93-A, No.2, pp. 375-381, Feb. 2010, DOI: 10.1587/transfun.E93.A.375.

J18. 太田宙志，吉増敏彦，倉智聡，伊藤信之，米村浩二，”MOSFETとpn接合ダイオードにより構成される新しいバラクタ回路を用いた広帯域電圧制御発振器，” 電子情報通信学会論文誌 C, Vol. J91-C, No.12, pp.702-710, Dec. 2008.

J17. M. Bucher, A. Bazigos, S Yoshitomi, and N Itoh, "A Scalable Advanced RF IC Design-Oriented MOSFET Model," Int. Journal of RF and Microwave Computer Aided Engineering, Vol. 18, pp. 314-325, Jul. 2008 (DOI 10.1002).

J16. M. Nagata, H. Masuoka, S. Fukase, M. Kikuta, M. Morita, and N. Itoh, "A 5.8-GHz ETC Transceiver using SiGe-BiCMOS," IEICE Transaction on Electronics, vol. E90-C, No.9, pp.1721-1728, Sep. 2007.

J15. S. Kurachi, T. Yoshimasu, H. Liu, N. Itoh, and K. Yonemura, "A SiGe BiCMOS VCO IC with highly linear Kvco for 5-GHz Band Wireless LANs," IEICE Transaction of Electronics, vol. E90-C, No.6, pp.1228-1233, Jun. 2007.

J14. H. Liu, T. Yoshimasu, S. Kurachi, N. Itoh, and K. Yonemura, "A Novel Diode Linearizer for SiGe HBT Power Amplifier," John Wiley & Sons, Microwave and Optical Technology Letters, vol.48, No.8, pp.1535-1537, Aug. 2006.

J13. N. Itoh, K. Kojima, and T. Ohguro, "Channel Noise Enhancement in Small Geometry MOSEFT and Its Influence on Phase Noise Calculation of Integrated Voltage-Controlled-Oscillator," John Wiley & Sons, International Journal of Numerical Modelling, vol.18, No.4, pp.255-266, Jul. 2005.

J12. N. Itoh, K. Hirashiki, T. Terada, M. Kikuta, S. Ishizuka, T. Koto, T. Suzuki, and H. Aoki, "High Sensitivity 900-MHz ISM Band Transceiver," IEICE Transaction on Fundamentals, vol. E88-A, No.2, pp.498-506, Feb. 2005.

J11. N. Itoh, M. Nagata, and S. Yoshitomi. "Influence of Flip-Chip Assembly on On-chip Spiral Inductor," Int. Journal of RF and Microwave Computer Aided Engineering, vol.14, No.3, pp.236-243, May 2004.

J10. N. Itoh, "Low Voltage Low Phase Noise CMOS VCO and Its Flicker Noise Influence,"IEICE Transaction on Electronics, vol. E86-C, No.6, pp.1062-1068, Jun. 2003.

J9. N. Itoh, T. Ohguro, K. Katoh, H. Kimijima, S. Ishizuka, K. Kojima, and H. Miyakawa, "Scalable Parasitic Components Model of CMOS for RF Circuit Design," IEICE Transaction on Fundamentals, vol. E86-A, No.2, pp.288-298, Feb. 2003.

J8. N. Itoh, S. Ishizuka, K. Katoh, Y. Shimizu, and K. Yonemura, "A 38-% Tuning Range 6-GHz Fully Integrated VCO," IEICE Transaction on Electronics, vol. E85-C, No.8, pp.1604-1606, Aug. 2002.

J7. N. Itoh and S. Ishizuka, "1200-MHz Fully Integrated VCO with “Turbo-Charger” Technique," IEICE Transaction on Electronics, vol. E85-C, No.8, pp.1569-1576, Aug. 2002.

J6. M. Steyaert, J. Janssens, B. De Muer, M. Borremans, and N. Itoh, "A 2 Volt CMOS Cellular Transceiver Front-End," IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 35, No. 12, pp.1895-1907, Dec. 2000.

J5. M. Steyaert, M. Borremans, J. Janssens, B. De Muer, N. Itoh, J. Craninckx, J. Crols, E. Morifuji, H. S. Momose, and W. Sansen, "A Single-Chip CMOS Transceiver Front-End for DCS-1800 Wireless Communications," Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 24, No. 2, pp.83-99, Aug. 2000, DOI: 10.1109/4.890303.

J4. M. Saito, M. Ono, R. Fujimoto, H. Tanimoto, N. Ito, T. Yoshitomi, T. Ohguro, H. S. Momose, and H. Iwai, "0.15 um RF CMOS Technology Compatible with Logic CMOS for Low-Voltage Operation," IEEE Electron Device, vol. ED-45, No. 3, pp.737-742, Mar. 1998.

J3. T. Iinuma, N. Itoh, H. Nakajima, K. Inou, S. Matsuda, C. Yoshino, Y. Tsuboi, Y. Katsumata, and H. Iwai, "Sub-20 ps High-Speed ECL Bipolar Transistor with Low Parasitic Architecture," IEEE Trans. Electron Devices., vol. ED-42, No. 3, pp.399-405, Mar. 1995, DOI: 10.1109/16.368035.

J2. S. Matsuda, N. Itoh, C. Yoshino, Y. Tsuboi, Y. Katsumata, and H. Iwai, "Mechanical Stress Analysis of Trench Isolation Using a Two-Dimensional Simulation," IEICE Trans. Electron., vol. E77-C, no.2, pp.124-128, Feb. 1994.

J1. Y. Ushiku, T. Kobayashi, A. Yoshida, N. Itoh, A. Nishiyama, and R. Nakata, "An Optimized 1.0 um CMOS Technology for Next Generation Channelless Gate Arrays," IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 23, No. 2, pp.507-513, Apr. 1988, DOI: 10.1109/4.1014.

国際会議論文

C96 Y. Hashimoto, B. Kaneda, K. Komoku and N. Itoh, “A Study on 23.8-43 GHz CMOS Low-Power Ultra-Wideband Injection-Locked Frequency Multiplier with Transformer Input,” Proceedings of 2022 Asia‑Pacific Microwave Conference, TH3-F1-3, pp.372-374, Yokohama, Japan, Dec. 1, 2022.

C95 S. Seguchi, K. Komoku and N. Itoh, “1.40/2.42/4.21-GHz Triple-Band Concurrent LNA Using Inductor Coupling,” Proceedings of 2022 Asia‑Pacific Microwave Conference, WE1‑F1‑2, pp.4-6, Yokohama, Japan, Nov. 30, 2022.

C94 M. Miyake, K. Komoku and N. Itoh, “920-MHz Fully Integrated Low-Power LNA Under Moderate-Inversion Operation,” Proceedings of 2022 Asia‑Pacific Microwave Conference, WE1‑F1‑1, pp.1-3, Yokohama, Japan, Nov. 30, 2022.

C93 T. Hayashi, K. Komoku and N. Itoh, “A study of K-band high-gain current-reuse two-stage LNA,” 3rd TJMW Student Workshop, 3B-4, November 14, 2022, Online.

C92 S. Seguchi, K. Komoku and N. Itoh, “Area-Saving Triple-Band Concurrent LNA with Inductor Coupling,” 3rd TJMW Student Workshop, 3B-3, November 14, 2022, Online.

C91 D. Yoshioka, K. Komoku and N. Itoh, “Study on Area Reduction of Low Gain Deviation and Low Noise Broadband Amplifier,” 3rd TJMW Student Workshop, 3B-2, November 14, 2022, Online.

C90 M. Miyake, K. Miyazaki, K. Komoku and N. Itoh, “A study on inductor-less low-noise amplifiers for 400MHz to 1200MHz bands,” 3rd TJMW Student Workshop, 3B-1, November 14, 2022, Online.

C89 N. Tamura, K. Komoku and N. Itoh, “Study on Fine Frequency Tuning DCO Controlled by 13-bit Switched Resistor,” 3rd TJMW Student Workshop, 3A-5, November 14, 2022, Online.

C88 Y. Hashimoto, K. Komoku and N. Itoh, “A Study on 24-GHz High-Power VCO Using a Transformer,” 3rd TJMW Student Workshop, 3A-4, November 14, 2022, Online.

C87 Y. Kayano, K. Komoku and N. Itoh, “A Study on Wideband LC VCO with Switched Capacitor,” 3rd TJMW Student Workshop, 3A-3, November 14, 2022, Online.

C86 N. Tamura, K. Komoku, and N. Itoh, “A 27.2-27.8 GHz Fine Frequency Tuning DCO Using 13-bit Switched Resistor,” International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC 2022), pp. 46-49, Hiroshima, Japan, Nov. 1st, 2022.

C85. Y. Hayashi, K. Komoku and N. Itoh, "A study of K-band gain-boosted amplifier using inductor coupling," 2022 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), 2022, pp. 77-79, doi: 10.1109/RFIT54256.2022.9882429.

C84. Y. Hayashi, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “A study on 24-GHz gain-boosted inductor-coupling cascode amplifier,” TJMW Student Workshop, 3B-5, Dec. 7, 2021.

C83. S. Seguchi, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “A Study on Area-Saving of Triple-Band Concurrent Low-Noise Amplifier,” TJMW Student Workshop, 3B-4, Dec. 7, 2021.

C82. K.Miyazaki, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “MOSFET Gate Width Optimization for NF of 920-MHz Cascode LNA,” TJMW Student Workshop, 3B-3, Dec. 7, 2021.

C81. N. Kaneda, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “A Study on Wide Lock Range 28-GHz LC Injection-Locked Frequency Doubler,” TJMW Student Workshop, 3B-1, Dec. 7, 2021.

C80. Y. Kayano, K. Komoku, T. Morishita, and N. Itoh, “A Study on 20-GHz Wideband Low-Phase-Noise LC VCO,” TJMW Student Workshop, 3A-5, Dec. 7, 2021.

C79. Y. Hashimoto, N. Itoh, T. Morishita, and K. Komoku, “A Study on High-Efficiency 24-GHz CMOS Voltage Control Oscillator”, Proc. of the 2021 Asia-Pacific Microwave Conference, S2-04-3, Nov. 2021.

C78. K.Miyazaki, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “920 MHz Low-Power LNAs Operated in Moderate Inversion Region,” International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC2021), Bordeaux, Oct. 2021.

C77. S. Seguchi, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “1.65/2.5/4.0-GHz Triple-Band Concurrent Low-Noise Amplifier,” International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC2021), Bordeaux, Oct. 2021.

C76. D. Yoshioka, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “3.4 to 4.1 GHz Wideband LNA with Gain Flatness and Low Noise Figure,” International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC2021), Bordeaux, Oct. 2021.

C75. K. Miyazaki, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, "A Current-Reuse Low-Power LNA Operated in Moderate Inversion Region," 2021 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), 2021, pp. 1-3, doi: 10.1109/RFIT52905.2021.9565250.

C74. N. Tajima, K. Komoku, T. Morishita, and N. Itoh, “K-Band Low Phase Noise Inductive Coupled VCO,” Proc. of the 2020 Asia-Pacific Microwave Conference, pp.1110-1112, Dec. 2020.

C73. Y. Sawayama, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “Dual-Band Concurrent LNA with Low Gain Deviation and Low Noise Figure,” Proc. of the 2020 Asia-Pacific Microwave Conference, pp.1006-1008, Dec. 2020.

C72. Y. Sawayama, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “Small-Area Dual-Band Concurrent LNA with Low Gain Deviation and Noise Figure,” TJMW Student Workshop, 2-7, Dec. 8, 2020.

C71. K. Miyazaki, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “Study on Current-Reuse 920-MHz LNA Operated on Weak Inversion MOSFET,” TJMW Student Workshop, 2-6, Dec. 8, 2020.

C70. Y. Yoshizawa, K. Komoku, T. Morishita, and N. Itoh, “A Study on Low Cost High Frequency Amplifier using fT-doubler,” TJMW Student Workshop, 2-5, Dec. 8, 2020.

C69. T. Yuki, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “A Study on Low Phase Noise 24 GHz VCO using 3D-Striped Inductor with Optimum Number of Stripes,” TJMW Student Workshop, 2-4, Dec. 8, 2020.

C68. T. Yuki, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “A Study of 24 GHz 3D-Striped Inductor VCO with Gradually Changed Metal Width of Inductor,” Proc. of IEEE 2020 Radio-Frequency Integration Technology, pp.253-255, Hiroshima, Sept. 2020.

C67. Y. Sawayama, T. Morishita, K. Komoku and N. Itoh, “Dual-Band Concurrent Low Noise LNA,” Proc. of IEEE 2020 Radio-Frequency Integration Technology, pp.198-200, Hiroshima, Sept. 2020.

C66. M. Yagi, K. Komoku, T. Morishita, and N. Itoh, “A Study on 14 bit Digital Controlled Oscillator Using Switched Striped Inductor,” Proc. of the 2019 Asia-Pacific Microwave Conference, pp.998-1000, Singapore, Dec. 2019.

C65. N. Tajima, K. Komoku, T. Morishita, N. Itoh, “24-GHz Inductive Coupled Class-C VCO,” The 22nd International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC2019), Yilan, Oct. 2019.

C64. Y. Sawayama, T. Kitano, T. Morishita, K. Komoku, and N. Itoh, “1.7/3.5 GHz Dual-Band Concurrent LNA with Small Gain Deviation and Low NF,” The 22nd International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC2019), Yilan, Oct. 2019.

C63. Y. Sakamoto, K. Komoku, T. Morishita, N. Itoh, “Phase Noise Characteristics of VCOs Utilizing Various Structural 3D-Striped Inductor,” Proc. of the 2018 Asia-Pacific Microwave Conference, TH3-IF, Kyoto, Nov. 2018.

C62. Y. Sakamoto, K. Komoku, T. Morishita, N. Itoh, “24 GHz Low-Phase-Noise VCO Using 3D-Striped Inductor Utilized Thin-Metal Layers,” Proc. of the 2017 Asia-Pacific Microwave Conference, TH3-E, Kuala Lumpur, Nov. 2017.

C61. T. Kitano, K. Komoku, T. Morishita, N. Itoh, “A CMOS LNA Equipped with Concurrent Dual-Band Matching Networks,” Proc. of the 2017 Asia-Pacific Microwave Conference, WE2-B, Kuala Lumpur, Nov. 2017.

C60. T. Kitano, K. Komoku, T. Morishita, N. Itoh, “A 2.4/5.25 GHz Concurrent Dual-Band LNA Equipped Matching Networks Using Mutual Induction,” The 19th International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC2016), pp.113-116, Boston, Aug. 2016.

C59. Y. Nishino, K. Komoku, T. Morishita, N. Itoh, “A 25.8% Locking Range 24-GHz Injection Locked Frequency Divider with Capacitor Array in 180-nm CMOS,” The 19th International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC2016), pp.107-111, Boston, Aug. 2016.

C58. Y. Sato, K. Komoku, T. Morishita, N. Itoh, “A 24-GHz Low-Noise Amplifier using Three-Port Inductor,” The 19th International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC2016), pp.103-106, Boston, Aug. 2016.

C57. T. Ogawa, T. Morishita, K. Komoku, Y. Itano, S. Yoshitomi, and N. Itoh, “A Study of Current-Reuse 800 MHz/1.9 GHz Concurrent Dual-Band Amplifier,” IEEE Radio and Wireless Symposium 2016 (RWS2016), pp.245-247, Austin, Jan. 2016, DOI: 10.1109/RWS.2016.7444416.

C56. H. Tsuji, Y. Itano, K. Komoku, T. Morishita, S. Yoshitomi, and N. Itoh, "A Study of Flicker Noise Suppression of K-Band VCO using Striped Inductor," Proc. of the 2015 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2015), WE4E-1, Nanjing, Dec. 2015, DOI: 10.1109/APMC.2015.7413481.

C55. Y. Sato, Y. Kondo, K. Komoku, T. Morishita, and N. Itoh, "A 24-GHz Low-Noise Amplifier in 180nm CMOS," Thailand-Japan MicroWave 2015, TH-10, Aug. 2015.

C54. T. A. Kurniawan, X. Yang, X. Xu, N. Itoh, T. Yoshimasu, "A 2.5-GHz Band, 0.75-V High Efficiency CMOS Power Amplifier IC With Third Harmonic Termination Technique in 0.18-um CMOS," IEEE Wireless and Microwave Technology Conference (WAMICON2015), pp.1-3, Florida, Apr. 2015, DOI: 10.1109/WAMICON.2015.7120389.

C53. H. Tsuji, Y. Itano, K. Komoku, T. Morishita, S. Yoshitomi, and N. Itoh, "Millimeter-Wave VCO using Striped Inductor," Proc. of Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2014) 2014, pp. 959-961, Sendai, Nov. 2014.

C52. N. Itoh, R. Ohnishi, Y. Itano, T. Ogawa, H. Tsuji, K. Komoku, T. Morishita, S. Yoshitomi, "Scalable Analytical MOSFET Model for Analog Cirtcuit Design," The 17th International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC2014), pp.272-275, Ho Chi Minh, Oct. 2014.

C51. N. Itoh, Y. Itano, S.Morimoto, S. Yoshitomi, "Striped Inductor for Quasi Millimeter Wave Voltage-Controlled Oscillator," Proc. of the 2013 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2013), pp.319-321, Seoul, Nov. 2013, DOI: 10.1109/APMC.2013.6695132.

C50. Y. Itano, N. Itoh, S. Yoshitomi, H. Hoshino, "High-Q MOS-Varactor Modeling for mm-Wave VCOs," Proc. of the 2012 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2012), pp.202-204, Kaohsiung, Dec. 2012, DOI: 10.1109/APMC.2012.6421546.

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W88. 山口拓哉，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，”動的再構成を用いたニューラルネットワークプロセッサ（DRNNP）の開発，” 第21回 IEEE 広島支部学生シンポジウム論文集, pp.142-143, 岡山, 2019年11月30日-12月1日.

W87. 八木希知，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，”スイッチトストライプインダクタを用いた14bitデジタル制御発振器の実現性の検討，” 第21回 IEEE 広島支部学生シンポジウム論文集, pp.62-64, 岡山, 2019年11月30日-12月1日.

W86. 吉澤悠人，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，” fTダブラーを用いた高周波増幅器の低コスト化の検討，” 第21回 IEEE 広島支部学生シンポジウム論文集, pp.60-61, 岡山, 2019年11月30日-12月1日.

W85. 結城主，坂本裕太，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，” 3 次元ストライプトインダクタを用いた 28 GHz 低位相雑音電圧制御発振器の検討，” 令和元年度 (第70回) 電気・情報関連学会中国支部連合大会, R19-12-01-02, 鳥取, 2019年10月26日.

W84. 田島直樹，小椋清孝，森下賢幸，伊藤信之，” インダクタ結合Class-C発振器の検討，” 2019年電子情報通信学会ソサイエティ大会C-12-23，大阪，2019年9月10日.

W83. 吉澤悠人，伊藤信之，小椋清孝，森下賢幸，”fTダブラーを用いた 24GHz帯増幅器の検討，” 2019年電子情報通信学会ソサイエティ大会C-12-7，大阪，2019年9月10日.

W82. 澤山唯人，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，” 二帯域同時受信LNAのゲイン偏差、雑音特性の改善に関する検討，” 2019年電子情報通信学会ソサイエティ大会C-12-5，大阪，2019年9月10日.

W81. 西森祐介，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，”FPGAを用いたCNNの構成要素のハードウェア化，” 第18回情報科学技術フォーラム（FIT2019），C-014，岡山，2019年9月4日．

W80. 石田泰明，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，”高基数選択型浮動小数点数除算器の高速化，” 第18回情報科学技術フォーラム（FIT2019），C-011，岡山，2019年9月3日．

W79. 妹尾昂幸，小椋清孝，森下賢幸，伊藤信之，横川智教，有本和民，”MEMS触覚センサによる表面形状の識別率向上の検討とHW化に関する研究，” LSIとシステムのワークショップ2019，東京，2019年5月13日．

W78. 石田泰明，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，” 高基数選択型浮動小数点数除算器の開発,” 平成30年度 (第69回) 電気・情報関連学会中国支部連合大会, R18-19-13, 広島, 2018年10月20日.

W77. 平松照清，森下賢幸，伊藤信之，小椋清孝，”DNNにおけるハードウェア演算精度の認識と学習に与える影響,” 平成30年度 (第69回) 電気・情報関連学会中国支部連合大会, R18-19-12, 広島, 2018年10月20日.

W76. N. Itoh, T. Ogawa, T. Kitano, “Study of concurrent dual-band Low-Noise Amplifiers,” RIEC Russia-Japan Joint International Microwave Workshop 2018, St. Petersburg, Oct. 2018.

W75. 八木希知，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，”スイッチトインダクタを用いたデジタル制御発振器に関する検討,” 2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会C-12-30，金沢，2018年9月14日.

W74. N. Itoh, “Study of Striped Inductor for High-Frequency Voltage-Controlled Oscillators” RIEC Russia-Japan Joint International Microwave Workshop 2017, Sendai, Oct. 2017.

W73. 村井聡紀，石井裕，山内仁，伊藤信之，佐藤洋一郎，”PROGテストを用いた地域企業との雇用マッチング,” 平成29年度 (第68回) 電気・情報関連学会中国支部連合大会, 27-2, 岡山, 2017年10月21日.

W72. 平松照清，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，”DNNにおけるハードウェア演算精度の認識と学習に与える影響,” 平成29年度 (第68回) 電気・情報関連学会中国支部連合大会, 12-1, 岡山, 2017年10月21日.

W71. 北野大志，小椋清孝，森下賢幸，伊藤信之，”二帯域整合回路を備えた同時受信低雑音増幅器に関する検討,” 電気学会電子回路研究会，ECT-17-106，pp.65-70，呉，2017年10月１2日.

W70. 坂本裕太，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，“3次元ストライプドインダクタを用いた24 GHz低位相雑音電圧制御発振器の検討，” 2017年電子情報通信学会ソサイエティ大会C-12-7，東京，2017年9月14日.

W69 西野賀雄, 伊藤信之, 森下賢幸, 小椋清孝, “キャパシタアレイを用いたLC型Injection-locked Frequency Dividerの広帯域化に関する研究”, 信学技報, vol. 116, no. 487, ICD2016-136, pp. 102-106, 2017年3月.

W68. 中島大輝，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之，“DRCAP2の高速化と2次元DCTを用いたGeForceとの性能比較，” 平成28年度 (第67回) 電気・情報関連学会中国支部連合大会, R16-19-04, 広島, 2016年10月22日.

W67. 北野大志，小椋清孝，森下賢幸，伊藤信之，“相互誘導を用いた整合回路を備えた2.4/5.25GHz同時受信低雑音増幅器に関する研究，” 平成28年度 (第67回) 電気・情報関連学会中国支部連合大会, R16-12-04, 広島, 2016年10月22日.

W66 “Wireless integrated circuit design for high-data-rate communication,” OPU-SCU Workshop 2016, Okayama, 2016/9/26.

W65. 伊藤信之, “高周波領域におけるLC共振器の特性改善とそれを用いた電圧制御発振器の特性,” URSI-C委員会第23期第5回公開研究会, 唐津, 2016年3月14日.

W64. 伊藤信之, “CMOS 集積回路上の発振器設計の基礎,” MWE2015 Workshop WE3B-1, 横浜, 2015年11月25日.

W63. 中島大輝, 森下賢幸, 小椋清孝, 伊藤信之,“DRCAP2とCUDA環境における2次元DCTの性能評価,” 第17回 IEEE Hiroshima Student Symposium (HISS2015), 岡山, 2015年11月.

W62. 西野賀雄, 佐藤良樹, 近藤洋平, 森下賢幸, 小椋清孝, 伊藤信之, "180 nm CMOSプロセスを用いた24 GHz ILFDの広帯域化に関する研究,” 第17回 IEEE Hiroshima Student Symposium (HISS2015), 岡山, 2015年11月.

W61. 佐藤良樹, 西野賀雄, 近藤洋平, 森下賢幸, 小椋清孝, 伊藤信之, "180nm CMOSプロセスを用いた24 GHz低雑音増幅器の研究,” 第17回 IEEE Hiroshima Student Symposium (HISS2015), 岡山, 2015年11月.

W60. 伊藤信之, 辻大輝, 板野由佳, 森下賢幸, 小椋清孝, 吉富貞幸, “［依頼講演］ストライプ形状のインダクタの高周波特性とそれを用いた電圧制御発振器の特性,” 信学技報, vol. 115, no. 260, MW2015-113, pp. 97-102, 2015年10月.

W59. 辻大輝, 板野由佳, 小椋清孝, 森下賢幸, 伊藤信之, 吉富貞幸, “準ミリ波帯における容量結合型電力合成LC-VCOによる低位相雑音化に関する研究,” 平成27年度 (第66回) 電気・情報関連学会中国支部連合大会, 12-2, 宇部, 2015年10月17日.

W58. 田邊寛, 森下賢幸, 小椋清孝, 伊藤信之, “基数8を用いた選択型・スケーリング方式浮動小数点数除算器,” 平成27年度 (第66回) 電気・情報関連学会中国支部連合大会, 12-1, 宇部, 2015年10月17日.

W57. 木下巧登, 小椋清孝, 森下賢幸, 伊藤信之, “H.264符号化時の投機的CABACのための係数データ分布解析,” 平成27年度 (第66回) 電気・情報関連学会中国支部連合大会, 19-2, 宇部, 2015年10月17日.

W56. 小椋清孝、黒田光紀、山本哲哉、森下賢幸、伊藤信之, “マルチタスク可能なパイプライン処理型動的再構成回路の資源管理部の設計,” 情報処理学会第77回全国大会、京都、2015年3月17日～19日.

W55. 小川巧馬，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之, “微細MOSFETを用いたインダクティブディジェネレーションLNAにおける外付ゲート・ソース間キャパシタの影響,”電子情報通信学会総合大会，C-12-2，草津，2015年3月11日.

W54. 辻大輝，板野由佳，小椋清孝，森下賢幸，吉富貞幸，伊藤信之, “ストライプドインダクタを用いたCMOS LC VCOの位相雑音改善に関する研究,” 電気学会電子回路研究会高周波集積回路の先端化技術と応用技術，ECT-15-001，pp.1-7，高知，2015年1月22日.

W53. 木下巧登, 宮崎雅之, 小椋清孝, 森下賢幸, 伊藤信之, “投機的CABACのためのH.264係数データ分布解析,” 第16回 IEEE Hiroshima Student Symposium (HISS2014), B-44, 広島, 2014年11月.

W52. 山田周平, 森下賢幸, 小椋清孝, 伊藤信之, ”高基数・スケーリング方式を用いた選択型浮動小数点数除算器の設計と評価, ” 第16回 IEEE Hiroshima Student Symposium (HISS2014), A-18, 広島, 2014年11月.

W51. 田邊寛, 森下賢幸, 小椋清孝, 伊藤信之, “動的再構成型浮動小数点数乗除算器の構成方法,”第16回 IEEE Hiroshima Student Symposium (HISS2014), A-19, 2014年11月.

W50. 小川巧馬, 板野由佳, 小椋清孝, 森下賢幸, 伊藤信之, “キャリア・アグリゲーション対応2バンド同時受信低雑音増幅器の研究,” 第16回 IEEE Hiroshima Student Symposium(HISS2014), B-18, 広島, 2014年11月.

W49. 伊藤信之，板野由佳，辻大輝，小椋清孝，森下賢幸，吉富貞幸, “［招待講演］高周波領域におけるLC共振器のQ値向上手法の検討,” 信学技報, vol. 114, no. 120, ICD2014-24, pp. 65-70, 2014年7月.

W48. 宮崎雅之，小椋清孝，森下賢幸，伊藤信之, “投機的手法を用いたCABAC復号向け算術復号部の設計,” 第15回 IEEE Hiroshima Student Symposium (HISS2013), A-73, 鳥取, 2013年11月.

W47. 伊藤信之, “移動体通信用集積回路の現状と展望,” 東北大学電気通信研究所共同研究プロジェクト, 仙台, 2013年11月1日.

W46. 山田周平，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之, “選択型高基数・スケーリング方式浮動小数点数除算器の検討,” 平成25年度(第64回)電気・情報関連学会中国支部連合大会，20-5，岡山，2013年10月.

W45. 石海利幸，小椋清孝，森下賢幸，伊藤信之, “高位合成系による動的部分再構成技術を用いた画像処理回路の開発,” 平成25年度(第64回)電気・情報関連学会中国支部連合大会，13-4，岡山，2013年10月.

W44. 山本哲哉，小椋清孝，森下賢幸，伊藤信之, “動的再構成型回路DRoMPA2.0のマルチタスク化に関する検討,” LSI とシステムのワークショップ2013，北九州，5月，2013.

W43. 宮崎雅之，小椋清孝，森下賢幸，伊藤信之, “投機的手法によるH.264 CABAC復号の検討,” LSI とシステムのワークショップ2013，北九州，5月，2013.

W42. 伊藤信之、板野由佳、森本正太郎, “［招待講演］準ミリ波以上の周波数領域におけるLC電圧制御発振器の共振器回路のQ値向上手法の検討,” 信学技報, vol. 112, no. 459, MW2012-175, pp. 87-92, 2013年3月.

W41. 板野由佳、伊藤信之、吉富貞幸、星野洋昭, “ミリ波領域におけるMOSバラクタのモデリング,” 電気学会電子回路研究会高周波集積回路の先端化技術と応用技術，ECT-13-026，香川，2013年1月26日.

W40. 伊藤信之, “Si 集積回路上における電圧制御発振器(VCO)技術の歴史と動向,”
MWE2012 Workshop WS5, 横浜, 2012年11月.

W39. 石海利幸, 森下賢幸, 小椋清孝, 伊藤信之, “Impulse-Cを用いた画像処理のハードウェア化と動的部分再構成への応用,” 第14回 IEEE Hiroshima Student Symposium (HISS2012), A-37, pp.106-109, 総社, 2012年11月.

W38. 小川翔平, 森下賢幸, 小椋清孝, 伊藤信之, “2D/3D変換ボード用フォーマット変換回路の設計,” 第14回 IEEE Hiroshima Student Symposium (HISS2012), B-75, pp.500-502, 総社, 2012年11月.

W37. 千田純一, 森下賢幸, 小椋清孝, 伊藤信之, “動的再構成可能な並列プロセッサDRCAP2の時分割実行,” 第14回 IEEE Hiroshima Student Symposium (HISS2012), B-35, pp.378-381, 総社, 2012年11月.

W36. 小椋清孝、山本哲哉、森下賢幸、伊藤信之, “パイプライン型動的再構成回路DRoMPA2.0 の資源管理に関する検討,”組込みシステムシンポジウム2012(ESS2012)，東京，2012年10月.

W35. 森下賢幸, 古賀健一, 小椋清孝, 伊藤信之, “動的再構成可能なセルアレイプロセッサDRCAP2の開発,” 第25回回路とシステムワークショップ, C2-1, 淡路市, July, 31, 2012.

W34. 小椋清孝, 森下賢幸, 伊藤信之, “時分割実行モードを備えたパイプライン型動的再構成回路DRoMPA2.0のFPGA実装,” LSIとシステムのワークショップ2012講演資料集およびポスター資料集, pp.299-301, 北九州, May, 28, 2012.

W33. 伊藤信之, “RF回路設計の基礎,” 電子情報通信学会東北支部専門講習会，会津，2012年3月.

W32. 板野由佳，伊藤信之，吉富貞幸，君島秀樹, “ミリ波領域における High-Q MOS バラクタのスケーラブルモデル,” 電子情報通信学会総合大会，C-12-76，岡山，2012年3月.

W31. 古賀健一，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之, “DRCAP2用プロセッサシミュレータの開発,” 電子情報通信学会総合大会，D-18-3，岡山，2012年3月.

W30. 有江吉範，森下賢幸，小椋清孝，伊藤信之, “動的再構成型並列処理プロセッサDRCAP2における命令レベル並列処理 ” 平成23年度（第62回）電気・情報関連学会中国支部連合大会，20-5，広島，2011年10月.

W29. 小椋清孝，菰口将考，森下賢幸，伊藤信之, “動的再構成回路DRoMPA2.0 の時分割実行モードを用いたアプリケーション実装評価,” 第10回情報科学技術フォーラム，C-010，函館，2011年9月.

W28. 伊藤信之, “RF回路の特性パラメータ,” 電気学会C部門大会シンポジウム，富山，2011年9月.

W27. 伊藤信之, “「招待講演」シリコン集積回路における高周波電圧制御発振器の革新,” 電気学会電子回路研究会，ECT-11-054，総社，2011年6月.

W26. 伊藤信之, “RFCMOS技術の現状と将来” 平成23年度”半導体ネットおかやま”第１回例会，岡山，2011年6月.

W25. 小椋清孝，菰口将考，森下賢幸，伊藤信之, “動的再構成回路DRoMPA2.0 への時分割実行モードの実装,” 電子情報通信学会総合大会，D-18-2，東京，2011年3月.

W24. 太田宙志，出穂剛史，倉智聡，村田雄介，米村浩二，伊藤信之，吉増敏彦, “SiGe BiCMOS 技術を用いたマイクロ波広帯域VCO IC, ”電子情報通信学会総合大会，C-2-17，2008年3月.

W23. N. Itoh, "A Realization and Its Problems of Passive Devices on Silicon Integrated Circuits," Proc. of Workshop on MWE2007, Yokohama, Japan, pp.155-158, Nov. 2007.

W22. N. Itoh, "Foundation of silicon high-frequency oscillators and influence of device characteristics," Proc. of Workshop on MWE2007, Yokohama, Japan, pp.411-418, Nov. 2007.

W21. 倉智聡, 村田雄介, 石川頌平, 伊藤信之, 米村浩二, 吉増敏彦, “SiGe BiCMOS を用いた高線形VCO IC（Highly Linear VCO IC with SiGe BiCMOS Technology）,” 電子情報通信学会総合大会, C-2-10, p.43, 2007年3月.

W20. 伊藤信之, “マイクロ波シンセサイザ入門［Ｖ］発振回路の集積化と携帯電話への応用,” 電子情報通信学会誌, vol.89, No.4, pp.333-338, 2006年4月.

W19. 伊藤信之, “シリコンプロセスにおける高周波電圧制御発振器の集積化技術,” 電子情報通信学会”第5回シリコンアナログRF研究会”,東京, 2005年8月.

W18. 伊藤信之、永田稔、吉富貞幸, “RFLSIの設計・実装における諸問題とシミュレーションによる解決方法－フリップチップ実装におけるオンチップスパイラルインダクタへの影響,” 電子情報通信学会”第10回マイクロ波シミュレータワークショップ”, 東京, 2004年12月.

W17. 伊藤信之、吉富貞幸, “RF回路に対するデバイス技術とモデリング,” 第17回軽井沢回路とシステムワークショップ, pp.101-106, 軽井沢, 2004年4月.

W16.伊藤信之、石塚慎一郎、大高章二, “無線LAN 用RF/IF チップセット,” 東芝レビュー, Vol.58, No.11, pp29-32, 2003年11月.

W15. N. Itoh, "Realization of Fully Integrated VCO and its Problems in Mass Production," Proc. of Workshop on MWE2003, Yokohama, Japan, Nov. 2003.

W14. N. Itoh, "Optimized Design of Fully Integrated VCO on Si Based Process,"
Proc. of Workshop on MWE2003, Yokohama, Japan, Nov. 2003.

W13. 伊藤信之, 石塚慎一郎 , “1200MHz 共振器内蔵電圧制御発振器（1200-MHz Fully Integrated VCO）,” 信学技報 Technical report of IEICE, ED2001-204, MW2001-159, ICD2001-201(2002-01), pp45-52, Jan. 2002.

W12. 森藤英治, 大黒達也, 斎藤雅伸, 吉富崇, 百瀬寿代, 伊藤信之, 森本豊太, 勝又康弘, 岩井洋, “微細MOSFETの高周波ノイズ特性検討（High-frequecy Noise Characteristics of Deep Submicron MOSFETs）,” 応用物理学会学術講演会講演予稿集, p.600, 1996年9月.

W11. 大黒達也, 斎藤雅伸, 遠藤和夫, 小野瑞城, 吉富崇, 森藤英治, 百瀬寿代, 伊藤信之, 岩井洋, “13V耐圧を持つ0.35μmSiパワーMOSFET（A high frequency 0.35 μm gete length power silicon MOSFET operating with breakdown voltrage of 13V）,” 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 28a-PB-20, p.803, 1996年3月.

W10. 大黒達也, 杉山直治, 臼田宏治, 斎藤雅伸, 小野瑞城, 吉富崇, 森藤英治, 百瀬寿代, 伊藤信之, 岩井洋, “エピチャネルMOSFETのエピSi/Si基板界面の酸素の影響（The influence of oxygen at epitaxial Si/Si substrate for epitaxial Si channel MOSFET）,” 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 27a-E-6, p.688, 1996年3月.

W9. 斎藤雅伸, 小野瑞城, 藤本竜一, 高橋誓, 谷本洋, 伊藤信之, 大黒達也, 吉富崇, 百瀬寿代, 岩井洋, “低電圧動作における微細MOSFETの高周波特性（High-frequency characteristics of small geometry MOSFETs under low power supply voltage）,” 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 27a-E-1, p.686, 1996年3月.

W8. 大黒達也, 中村新一, 斉藤雅伸, 小野瑞城, 吉富崇, 森藤英治, 百瀬寿代, 伊藤信之, 岩井洋, “窒素ドーピングによるNiSi膜の改善及びその電気特性（Improvement of NiSi by nitrogen-doped technique and evaluation of electrical characteristics）,”応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 26p-Q-13, p.676, 1996年3月.

W7. 中島博臣, 伊藤信之, 井納和美, 松田聡, 吉野千博, 勝又康弘, 岩井洋, “シリコンバイポーラトランジスタにおける低消費電力化の検討（Study Ultra Low Power Operation of Bipolar Transistor）,” 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 28a-R-12, p.693, 1995年3月.

W6. 松田聡, 伊藤信之, 坪井芳朗, 吉野千博, 勝又康弘, 岩井洋, “高速バイポーラLSIにおけるトレンチ素子分離の応力解析(IV)（Stress Analysis of Trench Isolation in advanced bipolar LSIs(IV)）,”応用物理学会学術講演会講演予稿集, 18a-ZQ-11, p.697, 1992年9月.

W5. 坪井芳朗, 伊藤信之, 吉野千博, 松田聡, 井納和美, 勝又康弘, 岩井洋, “高速バイポーラLSIにおけるトレンチ素子分離プロセスの応力解析(III)（An optimization of shallow and deep trench isolation structures for ultra-high-speed bipolar LSIs）,” 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 18a-ZQ-10, p.697, 1992年9月.

W4. 片伯部一郎, 月岡英了, 伊藤信之, “MoポリサイドによるセルフアラインBJTベ-ス抵抗の低減（Base resistances reduction for self-aligned BJT by Mo-polycide）,” 電子情報通信学会秋季全国大会, C-491, 1990年10月.

W3. 山口寿男, 井納和美, 伊藤信之, “サブミクロンBJTの高注入状態における二次元効果の解析（Analysis of Two Dimensional Effect on the Highly Injected Condition for Submicron BJT）,” 電子情報通信学会秋季全国大会, C-490, 1990年10月.

W2. 伊藤信之, 濱崎利彦, 井納和美, 近藤美紀子, 松澤一也, 岩井洋, “ECLゲ-トにおけるSub-μmバイポ-ラトランジスタのスケ-リング（A methodology for designing device architecture for high-speed ECL circuit）, ”信学技報, Vol.90 No.182,183, 1990年8月.

W1. 伊藤信之, 中島博臣, 山口寿男, 月岡英了, 平川顕二, 仁平裕之, “非対称な外部ベ-スを持つセルフアラインバイポ-ラトランジスタの特性（The effect of unsymmetrical external base for self-aligned bipolar transistors）, ”電子情報通信学会春季全国大会, C-255, 1989年3月.

著作

B1. 「RF CMOS 回路設計技術」
伊藤信之
トリケップスホワイトシリーズ, No221, ISBN4-88657-221-9, 2002年6月

B2. "Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design,"
Grabinski, Wladyslaw Edited
（第7章担当）
Springer, ISBN: 1-4020-4555-7, Apr. 2006.

B3.「携帯電話用RF-ICの進化と技術動向」
RFワールド No.2, CQ出版株式会社 2008年6月

B4. 「高周波対応部材の開発動向と5G、ミリ波レーダーへの応用」技術情報協会、ISBN：978-4-86104-733-6、第7章第8節pp.４１３－428担当，2019年1月29日発刊

翻訳書

T1. 黒田忠広監訳
「RF マイクロエレクトロニクス」
丸善出版、ISBN：4-621-07005-3, 2002年3月

T2. 黒田忠広監訳
「アナログCMOS集積回路の設計応用編」
丸善出版、ISBN：4-621-07221-8, 2003年3月

T3. 黒田忠広監訳
「アナログCMOS集積回路の設計演習編」
丸善出版、ISBN：978-4-621-08062-7, 2009年1月

T4. 黒田忠広監訳
「RF マイクロエレクトロニクス第2版実践応用編」
丸善出版、ISBN：978-4-621-08871-5, 2014年11月

セミナー

S1. 「CMOS RF アナログ高周波デザイン」日本工業技術センター, 2000年10月25日

S2. 「RFデバイス回路の最新技術と応用（CMOS ）」日本テクノセンター, 2001年2月6日

S3. 「RFマイクロエレクトロニクス」サイペック, 2002年9月1日

S4. 「RFCMOSの回路設計技術とそのノウハウ」日本テクノセンター, 2002年11月14日

S5. 「RFマイクロエレクトロニクス」リアライズ理工センター, 2003年5月28日

S6. 「RFマイクロエレクトロニクス」リアライズ理工センター, 2004年2月27日

S7. 「RFマイクロエレクトロニクス」リアライズ理工センター, 2005年2月25日

S8. 「アナログCMOS集積回路の設計 -応用編-」リアライズ理工センター, 2005年3月18日

S9. 「RFCMOSの回路設計技術とそのノウハウ」日本テクノセンター, 2005年6月7日

S10. 「アナログCMOS集積回路の設計 -応用編-」リアライズ理工センター, 2005年9月30日

S11. 「アナログCMOS集積回路の設計とその応用」日本テクノセンター, 2006年2月2日

S12. 「RFマイクロエレクトロニクス」リアライズ理工センター, 2006年7月5日

S13. 「高周波RFCMOSアナログ回路の最新設計技術と開発事例及び今後の展開」日本技術情報センター, 2006年10月31日

S14. 「RFマイクロエレクトロニクス」リアライズ理工センター, 2007年6月26日

S15. 「RFCMOSの回路設計技術の実際とその勘所」リアライズ理工センター, 2009年11月20日

S16. 「RFCMOSの技術動向」第22回東芝半導体セミナー, 2010年2月22日

S17. 「RFCMOSの回路設計技術の実際とその勘所」リアライズ理工センター, 2010年7月22日

S18. 「RFCMOSの技術動向」第31回東芝半導体セミナー, 2010年12月22日

S19. 「RFCMOSの技術動向」ビギナーのためのアナログ半導体セミナー，2017年2月16日

公開特許公報

PK1. 特開昭63150965, "半導体装置の製造方法," 1988.

PK2. 特開平01081266, "半導体装置の製造方法," 1989.

PK3. 特開平01112771, "バイポーラトランジスタ," 1989.

PK4. 特開平01184955, "半導体装置の製造方法," 1989.

PK5. 特開平01251736, "半導体装置の製造方法," 1989.

PK6. 特開平01289162, "バイポーラトランジスタおよびその製造方法," 1989.

PK7. 特開平02003256, "半導体装置の製造方法," 1990.

PK8. 特開平02022825, "パターン形成方法およびこれを用いたバイポーラトランジスタの製造方法," 1990.

PK9. 特開平02058230, "バイポーラトランジスタの製造方法," 1990.

PK10. 特開平02153534, "半導体装置の製造方法," 1990.

PK11. 特開平02203533, "バイポーラトランジスタ," 1990.

PK12. 特開平04067637, "半導体装置およびその製造方法," 1992.

PK13. 特開平04138720, "半導体装置," 1992.

PK14. 特開平04364044, "半導体装置の製造方法," 1992.

PK15. 特開平05082536, "バイポーラ型半導体装置の製造方法," 1993.

PK16. 特開平05175210, "半導体装置," 1993.

PK17. 特開平05291394, "半導体装置の製造方法," 1993.

PK18. 特開平06077811, "半導体装置," 1994.

PK19. 特開平06077239, "半導体装置及びその製造方法," 1994.

PK20. 特開平06181290, "半導体装置およびその製造方法," 1994.

PK21. 特開平07086512, "半導体装置," 1995.

PK22. 特開平07254608, "半導体装置," 1995.

PK23. 特開平08037432, "半導体装置," 1996.

PK24. 特開平08045955, "バイポーラ集積回路," 1996.

PK25. 特開平08274107, "半導体装置," 1996.

PK26. 特開平08331064, "受信回路、光受信回路、光受信モジュール及び光配線モジュールセット," 1996.

PK27. 特開平09082809, "半導体装置," 1997.

PK28. 特開2000357925, "線形増幅器," 2000.

PK29. 特開2001111341, "電圧制御発振装置," 2001.

PK30. 特開2001313527, "電圧制御発振器," 2001.

PK31. 特開2003324316, "電圧制御発振器," 2003.

PK32. 特開2005045405, "電圧制御発振器、周波数シンセサイザ及び通信システム," 2005.

公告特許

PA1. 特許第2763105, "半導体装置の製造方法," 1998

PA2. 特許第3219796, "バイポーラ型半導体装置の製造方法," 2001

PA3. 特許第3357772, "受信回路、光受信回路、光受信モジュール及び光配線モジュールセット," 2002

PA4. 特許第3923690, "電圧制御発振装置," 2007

PA5. 特許第3760100, "電圧制御発振器," 2006

海外出願特許

PF1. DE 39 40 394, "Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors," 1989.

PF2. DE 39 15 634, "Verfahren zur Herstellung eines Bipolar-Transistors mit einer miniaturisierten Emitterschicht," 1997.

PF3. USP-5777507, "Receiver and Transceiver for A Digital Signal of An ArbitraryPattern," 1998.

PF4. USP-6411171B2, "Voltage Controlled Oscillator," 2002.

化学のJournal Papers

JP1. T. Sekine and N. Itoh
"Transient Maximum of Solvent Extraction of Copper(II) with some β-Diketones in Carbon Tetrachloride"
Bunseki Kagaku vol. 33, pp. E427-E434, 1984.

JP2. K. Inaba, N. Itoh, Y. Matsuno, and T. Sekine
"Rate of complex formation of iron(III) with several β-diketones in aqueous perchlorate solutions determined by solvent extraction method"
Bull. Chem. Soc. Jpn., 58(8), pp. 2176-2180, 1985.

JP3. T. Sekine, N. Itoh, and H. Sekine
"TWO CONTROLLING PROCESSES IN BACK-EXTRACTION OF TRIS (BENZOYLACETONATO )IRON (III ) FROM CARBON TETRACHLORIDE INTO AQUEOUS ACID SOLUTIONS"
Solvent Extraction and Ion Exchange Volume 6, Issue 2, pp. 275-292, 1988.