◆ 無線通信用RF-LSI 無線通信用トランシーバ回路は下図のように、受信系、送信系、局発系の3つのパートにより構成されています。かつては、これらの3っつのパート、さらにはその中にある一つ一つの回路ブロックが、それぞれの一つ一つの集積回路で構成されていました。 1990年代以降、携帯電話、WLAN、Bluetooth、ETCなど、我々の身の回りに数多くの無線通信機器が存在するようになるにつれ、無線通信用トランシーバを一つの集積回路上に搭載する技術が進んできました。その中でもCMOSを用いた無線通信用トランシーバは、2000年以降数多く開発されてきました。
CMOSプロセスは、元来、ディジタル回路に用いられるスィッチング素子として活用されてきました。しかしながら、近年の微細化に伴い、素子の高周波特性が向上し、現在の最先端プロセスではNMOSのfT(遮断周波数)は300GHzに達します。 我々の研究グループでは、CMOSを用いた無線通信回路の高性能化・低面積化を研究テーマとしています。 |
◆ 技術的課題 ★素子の微細化によるデバイス特性の劣化に伴う回路特性の劣化 上記のように、微細化によりMOSFETの周波数特性は向上してきましたが、劣化してしまった 特性もあります。例えば、チャネル長が短くなった事によるMOSFETのro(出力抵抗)の低下、 リーク電流の増大、電源電圧の低下、電源電圧が低下しているにもかかわらずそれほど低下し ない閾値電圧、雑音特性の劣化等があげられます(下図)。 特に雑音特性の劣化は高周波アナログ回路においては、大きな課題となり、LNAのNFの
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◆ アプリケーション分野 |